ПМТ МИЭТ

Студенты и аспиранты института ПМТ заняли призовые места на конференции «Микроэлектроника и информатика — 2017»

19 — 20 апреля 2017 года на базе Национального исследовательского университета «МИЭТ» состоялась 24-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика — 2017». Доклады студентов 4-го курса, проходящих преддипломную практику в лабораториях института ПМТ, были отмечены дипломами по секции «Материалы микро- и наноэлектроника”:
1 место — Мокшина Анастасия совместно со студентом Валиулиным Ильдаром (ТГУ, Томск) с работой «Исследование гистерезиса на вольт-амперных характеристиках сенсибилизированных солнечных элементов на основе диоксида титана»,
3 место — Глухенькая Виктория с работой «Исследование эффекта памяти в тонких пленках Ge2Sb2Te5 при импульсном переключении».
Среди аспирантских работ были отмечены дипломами доклад Терехова Дмитрия «Программно-аппаратный комплекс для одновременного прецизионного исследования термоэлектрических и электрофизических свойств материалов электронной техники» (1 место) и доклад Пуховой Ольги «Исследование процесса пирометаллургической очистки платинородиевого сплава от примесей меди» (2 место).