ПМТ МИЭТ

Студенты института ПМТ успешно выступили на конференции «Микроэлектроника и информатика — 2018»

18 – 19 апреля 2018 года на базе Национального исследовательского университета «МИЭТ» состоялась 25-я Всероссийская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика – 2018». Доклады студентов, проходящих практику в лабораториях института ПМТ, были отмечены дипломами по секции «Материалы микро- и наноэлектроники»:

1 место – Федянина Мария с работой «Влияние кристаллизации на оптические свойства аморфных тонких пленок Ge2Sb2Te5.
2 место – Силаков Геннадий с работой «Исследование эволюции морфологии поверхности и краевого угла смачивания поверхности Si/Ni при обработке в HF и H2O2»
3 место – Калинина Ольга, Камалеев Максим и Савчук Тимофей с работой «Оптимизация технологии получения сверхтонкого поглощающего слоя Ag2S методом молекулярного наслаивания для ETA солнечных элементов».

Среди аспирантских работ был отмечен доклад Терехова Дмитрия «Исследование температурных зависимостей термоЭДС и электропроводности тонких пленок Ge2Sb2Te5 для применения в ТЭГ» (2 место).